工作原理：

       紫外光照射到含有图形的石英玻璃板上（也称为掩模版），将掩模版上图形投影到掩模版下方的芯片上，使得在芯片上的预先涂布的光刻胶(一种对紫外光敏感的聚合物)发生光化学反应，这样就能将掩模版上的图形转移到芯片上。通过这种方法可以实行微小结构的印刷，可进行衬底表面清洗烘干、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、显影、刻蚀、检测等工序，是微纳加工的核心设备。

主要用途：

用于在硅片上研制各种微米纳米级别的图形结构，广泛应用于半导体微纳米结构的研发制作。是制造微机电、光电、大规模集成电路的关键设备，也是核心设备，制造和维护需要高度的光学和电子工业基础。主要利用曝光和显影在光刻胶层上刻画微米级几何图形结构，通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。

内部结构：

1. 曝光光源：Hg 汞灯，光源支持365nm，405nm，435nm。

2. 最大晶圆尺寸：6英寸，并且向下兼容各类不同尺寸及不规则小片。

3. 分辨率：优于0.8μm (i线，光刻胶厚度1 μm，真空接触，等间距图形)；分辨率：优于3.0 μm(i线，光刻胶厚度1μm，20um曝光间隙，等间距图形)。

4. 365nm下的光强18mw/cm²，405nm下的光强45mw/cm²。

5. 配置消衍射及微镜式光学系统，可在同一设备上实现“高分辨率和“大景深”两种模式曝光，两种模式随时切换，切换时间在5分钟以内。

6. 曝光模式：可支持接近式，硬接触、软接触和真空接触等模式。

7. 对准模式：正面对准。

8. 套刻精度：正面套刻精度±5um。

1、需提前预约使用；

2、预约前联系设备管理员，预约请注明测试条件；
3、非测试人员不得操作仪器；